Artículos en revistas:
Oxygen-related photoluminescence quenching in selectively grown GaN nanocolumns: Dependence on diameter
Oxygen-related photoluminescence quenching in selectively grown GaN nanocolumns: Dependence on diameter
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING |
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ISSN
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1369-8001 |
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Factor de impacto JCR
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1,955 |
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Información de impacto
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Volumen
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55 |
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DOI
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10.1016/j.mssp.2016.03.018 |
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Número de revista
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Desde la página
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59 |
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Hasta la página
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62 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
a. bengoechea-encabo (UPM) - Autor: s. albert (UPM)
- Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: e. calleja (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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