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Influence of composition, strain, and electric field anisotropy on different emission colors and recombination dynamics from InGaN nanodisks in pencil-like GaN nanowires
Influence of composition, strain, and electric field anisotropy on different emission colors and recombination dynamics from InGaN nanodisks in pencil-like GaN nanowires
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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PHYSICAL REVIEW B |
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ISSN
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2469-9950 |
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Factor de impacto JCR
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3,736 |
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Información de impacto
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Volumen
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93 |
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DOI
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10.1103/PhysRevB.93.125436 |
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Número de revista
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12 |
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Desde la página
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0 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
z. gacevic (UPM) - Autor: n. garcia-lepetit (UPM)
- Autor: n. vukmirovic
- Autor: s. albert (UPM)
- Autor: a. bengoechea-encabo (UPM)
- Autor: e. calleja (UPM)
- Autor: m. mueller
- Autor: Jose Ignacio Izpura Torres (UPM)
- Autor: s. metzner
- Autor: f. bertram
- Autor: p. veit
- Autor: j. christen
- Autor: j. m. gonzalez-calbet
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Departamento: Sistemas Aeroespaciales, Transporte Aéreo y Aeropuertos
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