Ponencias en congresos:
Effects of high-k gate dielectrics on the electrical behavior of AlInN/GaN based diodes and HEMTs
Effects of high-k gate dielectrics on the electrical behavior of AlInN/GaN based diodes and HEMTs
Año:2016
Áreas de investigación
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Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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The International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2016 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Orlando, Florida (USA), 2016 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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00000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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02/10/2016 |
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Fecha fin congreso
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07/10/2017 |
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Hasta la página
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3 |
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: Veronica Gao Zhan (UPM)
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: P. Godignon
- Autor: M.A Papillon
- Autor: E. San Andrés
- Autor: J. Millan
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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