Memorias de investigación
Communications at congresses:
Effects of high-k gate dielectrics on the electrical behavior of AlInN/GaN based diodes and HEMTs
Year:2016

Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications

Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
The International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2016
960
Place
Orlando, Florida (USA), 2016
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
00000000
Start Date
02/10/2016
End Date
07/10/2017
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0
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3
Proceedings
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica