Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Assessment of aluminium nitride films sputtered on iridium electrodes
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
We report the growth of highly c-axis-textured aluminum nitride (AlN) films deposited by sputtering on evaporated iridium (Ir) layers. The crystal quality of the polycrystalline AlN films is analyzed as a function of the deposition conditions of the Ir electrode, which include the substrate temperature and the use of various seed layers, such as AlN, Ti and Ti/Mo. The influence of the sputter parameters and pre-treatment of the Ir substrates by Ar+ bombardment in the texture of the AlN films is also investigated. X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and piezoelectric assessment through measurement of BAW devices demonstrate that exceptionally highly c-axis-oriented AlN with high piezoelectric response can be sputtered on Ir electrodes.
Internacional
No
JCR del ISI
No
Título de la revista
2007 IEEE International Ultrasonics Symposium Proc.
ISSN
1051-0117
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
0
Desde la página
1401
Hasta la página
1404
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: Nick Rimmer (Aviza Technology, Inc.)
  • Autor: Jimena Olivares Roza (UPM)
  • Autor: Enrique Iborra Grau (UPM)
  • Participante: Amit Rastogi (Aviza Technology, Inc.)
  • Autor: Sheila González Castilla (UPM)
  • Autor: Marta Clement Lorenzo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y materiales electrónicos
  • Departamento: Tecnología Electrónica
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