Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Capítulo de libro:
The Impact of Alloyed Capping Layers on the Performance of InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
This chapter reviews the impact of using thin alloyed capping layers (CLs) for InAs/GaAs quantum dot (QD) solar cells. This novel approach can be considered as a particular way to develop hybrid QD-quantum well (QW) solar cells in which a thin QW is additionally used to modify the properties of QDs. The tunability of the absorption edge, defined by the QD ground state, together with the additional photocurrent from the CL allows outweighing the virtually inevitable consequent drop in the open-circuit voltage, achieving an improved solar cell performance. Besides tuning the absorption edge, the use of a thin CL involves further implications concerning the structural properties and the electronic structure, which will be directly linked to the final device performance. Indeed, the QD-CL band alignment and the strain field can be modified according to the CL nature, whose presence may additionally affect carrier transport and therefore collection efficiency. This chapter encompasses a comprehensive exposition of the main mechanisms involved in the operation of QD solar cells modified by the introduction of thin CLs, supported by the combination of different characterization techniques and theoretical simulations.
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Advances in Energy Research. Volume 26
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
  • Autor: Antonio David Utrilla Lomas (UPM)
  • Autor: Daniel Fernández Reyes (UCA)
  • Autor: José M. Llorens (IMM)
  • Autor: Irene Artacho Huertas (UPM)
  • Autor: Teresa Ben (UCA)
  • Autor: David González (UCA)
  • Autor: Zarko Gacevic (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Electrónica Física, Ingeniería Eléctrica y Física Aplicada
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Ciencia de Materiales
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