Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Effects of Gd2O3 Gate Dielectric on Proton-Irradiated AlGaN/GaN HEMTs
Year:2017

Research Areas

Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
ISBN
0741-3106
Impact factor JCR
2,528
Impact info
Volume
38
10.1109/LED.2017.2682795
Journal number
5
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Month
Ranking
0
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología