Artículos en revistas:
Effects of Gd2O3 Gate Dielectric on Proton-Irradiated AlGaN/GaN HEMTs
Effects of Gd2O3 Gate Dielectric on Proton-Irradiated AlGaN/GaN HEMTs
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
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ISSN
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0741-3106 |
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Factor de impacto JCR
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2,528 |
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Información de impacto
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Volumen
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38 |
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DOI
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10.1109/LED.2017.2682795 |
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Número de revista
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5 |
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Desde la página
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611 |
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Hasta la página
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614 |
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Mes
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Ranking
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0 |
Participantes
- Autor:
z. gao (UPM) - Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
- Autor: a. redondo-cubero
- Autor: m. a. pampillon
- Autor: e. san andres
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- Departamento: Ingeniería Electrónica
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