Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effects of Gd2O3 Gate Dielectric on Proton-Irradiated AlGaN/GaN HEMTs
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
ISSN
0741-3106
Factor de impacto JCR
2,528
Información de impacto
Volumen
38
DOI
10.1109/LED.2017.2682795
Número de revista
5
Desde la página
611
Hasta la página
614
Mes
Ranking
0
Participantes
  • Autor: z. gao (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: a. redondo-cubero
  • Autor: m. a. pampillon
  • Autor: e. san andres
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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