Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumnar Heterostructures by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
III-NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
ISSN
0080-8784
Factor de impacto JCR
0,765
Información de impacto
Volumen
96
DOI
10.1016/bs.semsem.2016.08.003
Número de revista
Desde la página
231
Hasta la página
266
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: s. albert (UPM)
  • Autor: a. m. bengoechea-encabo (UPM)
  • Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
  • Autor: e. calleja (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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