Artículos en revistas:
Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumnar Heterostructures by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumnar Heterostructures by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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III-NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS |
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ISSN
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0080-8784 |
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Factor de impacto JCR
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0,765 |
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Información de impacto
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Volumen
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96 |
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DOI
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10.1016/bs.semsem.2016.08.003 |
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Número de revista
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Desde la página
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231 |
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Hasta la página
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266 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
s. albert (UPM) - Autor: a. m. bengoechea-encabo (UPM)
- Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: e. calleja (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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