Artículos en revistas:
MOVPE growth of GaP on Si with As initial coverage
Año:2017
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
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ISSN
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0022-0248 |
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Factor de impacto JCR
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1,462 |
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Información de impacto
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Volumen
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464 |
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DOI
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10.1016/j.jcrysgro.2016.11.077 |
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Número de revista
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Desde la página
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Mes
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Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: e. garcia-tabares UPM
- Autor: a. navarro
- Autor: p. cano UPM
- Autor: i. rey-stolle UPM
- Autor: b. galiana
- Autor: c. ballesteros
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Semiconductores III-V