Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si
Año:2018
Áreas de investigación
Datos
Descripción
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0
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Internacional
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Si |
JCR del ISI
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Si |
Título de la revista
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AIP ADVANCES |
ISSN
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2158-3226 |
Factor de impacto JCR
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0 |
Información de impacto
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Volumen
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8 |
DOI
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10.1063/1.5046756 |
Número de revista
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10 |
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Mes
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Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
- Autor:
j. grandal (UPM) - Autor:
m. a. sanchez-garcia (UPM) - Autor:
e. calleja (UPM) - Autor: a. nunez-cascajero
- Autor:
v. j. gomez (UPM) - Autor: f. b. naranjo
- Autor: m. varela
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Grupo de Investigación: Grupo de dispositivos magnéticos del ISOM
- Departamento: Electrónica Física
- Departamento: Ingeniería Electrónica