Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si
Year:2018

Research Areas

Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
AIP ADVANCES
ISBN
2158-3226
Impact factor JCR
0
Impact info
Volume
8
10.1063/1.5046756
Journal number
10
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11
Month
Ranking
0
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Grupo de Investigación: Grupo de dispositivos magnéticos del ISOM
  • Departamento: Electrónica Física
  • Departamento: Ingeniería Electrónica