Artículos en revistas:
Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si
Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si
Año:2018
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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AIP ADVANCES |
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ISSN
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2158-3226 |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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8 |
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DOI
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10.1063/1.5046756 |
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Número de revista
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10 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
j. grandal (UPM) - Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: e. calleja (UPM)
- Autor: a. nunez-cascajero
- Autor: v. j. gomez (UPM)
- Autor: f. b. naranjo
- Autor: m. varela
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