Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Modification of strain and 2DEG density induced by wafer bending of AlGaN/GaN heterostructure: Influence of edges caused by processing
Año:2018
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
AIP ADVANCES
ISSN
2158-3226
Factor de impacto JCR
1,568
Información de impacto
Volumen
8
DOI
10.1063/1.5020149
Número de revista
3
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12
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: fernando calle (UPM)
  • Autor: ashu wang
  • Autor: lingyan zeng
  • Autor: wen wang
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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