Patentes:
Non-polar III-Nitride binary and ternary materials, method for obtaining thereof and uses
Non-polar III-Nitride binary and ternary materials, method for obtaining thereof and uses
Año:2019
Áreas de investigación
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Dispositivos electrónicos, -
Dispositivos fotónicos emisores de luz,
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Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica,
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Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv
Datos
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Descripción
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Internacional
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No |
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Estado
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Referencia Patente Prioritaria
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En explotación
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Licenciatarios
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Fecha solicitud
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Titulares aparte de la UPM
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Participantes
- Autor: Mengyao Xie (UPM)
- Autor: Amalia Luisa Fernando Saavedra (UPM)
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Steven Albert . (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: David Lopez-Romero Moraleda (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)