Proyecto de I+D+i:
"Fabrication of AlGaN/GaN High Mobility Transistors grown on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates" Acuerdo Hispano-Canadiense NRC-SEPOCYT
"Fabrication of AlGaN/GaN High Mobility Transistors grown on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates" Acuerdo Hispano-Canadiense NRC-SEPOCYT
Año:2007
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con la línea de investigación de: SENSORES Y DETECTORES DE UV, TRANSISTORES HEMT | |
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Internacional
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No |
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Tipo de proyecto
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Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas |
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Entidad financiadora
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Min. Educación y Ciencia. CSIC-CNM-UPM. Acuerdo Hispano-Canadiense NRC-SEPOCYT |
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Nacionalidad Entidad
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Sin nacionalidad |
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Tamaño de la entidad
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Desconocido |
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Fecha concesión
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01/01/2005 |
Participantes
- Director: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Participante: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
- Participante: Alejandro Francisco Braña De Cal (UPM)
- Participante: Fernando González-Posada Flores (UPM)
- Participante: Álvaro Navarro Tobar (UPM)
- Participante: Fatima Romero Rojo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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