Proyecto de I+D+i:
"Fabrication of AlGaN/GaN High Mobility Transistors grown on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates" Acuerdo Hispano-Canadiense NRC-SEPOCYT
Año:2007
Áreas de investigación
Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con la línea de investigación de:
SENSORES Y DETECTORES DE UV, TRANSISTORES HEMT
Internacional
No
Tipo de proyecto
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Entidad financiadora
Min. Educación y Ciencia. CSIC-CNM-UPM. Acuerdo Hispano-Canadiense NRC-SEPOCYT
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Tamaño de la entidad
Desconocido
Fecha concesión
01/01/2005
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
Director: Elias Muñoz Merino (UPM)
Participante: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
Participante: Alejandro Francisco Braña De Cal (UPM)
Participante: Fernando González-Posada Flores (UPM)
Participante: Álvaro Navarro Tobar (UPM)
Participante: Fatima Romero Rojo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Departamento: Ingeniería Electrónica
Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología