Estancias o Sabáticos:
Estancia del Doctorando Don Álvaro Navarro Tobar, en la University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, III/V Facility of the EPSRC National Center for III-V Technologies, Sheffield (Reino Unido), para el Diseño, fabricación y caracterización de diodos de avalancha de Nitruro de Galio, duración de la estancia 3 meses del 29/05/2007 al 31/08/2007.
Estancia del Doctorando Don Álvaro Navarro Tobar, en la University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, III/V Facility of the EPSRC National Center for III-V Technologies, Sheffield (Reino Unido), para el Diseño, fabricación y caracterización de diodos de avalancha de Nitruro de Galio, duración de la estancia 3 meses del 29/05/2007 al 31/08/2007.
Año:2007
Áreas de investigación
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Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Estancia del Doctorando Don Álvaro Navarro Tobar, en la University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, III/V Facility of the EPSRC National Center for III-V Technologies, Sheffield (Reino Unido), para el Diseño, fabricación y caracterización de diodos de avalancha de Nitruro de Galio, duración de la estancia 3 meses del 29/05/2007 al 31/08/2007. | |
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Internacional
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Si |
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Lugar
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University of Shefield, UK |
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Tipo
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Miembros en el extranjero |
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Fecha inicio
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29/05/2007 |
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Fecha fin
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31/08/2007 |
Participantes
- Tutor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: Álvaro Navarro Tobar (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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