Artículos en revistas:
G. KOBLMÜLLER, F. WU, T. MATES, J.S. SPECK, S. FERNANDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA
"High electron mobility GaN grown under N-rich conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy" Applied Physics Letters, 91, 221905-221907 (2007)
ISSN: 0003-6951
Año:2007
Áreas de investigación
Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con la línea de investigación de Nanoestrucutras de Nitruros
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPL PHYS LETT
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,596
Información de impacto
Volumen
91
DOI
Número de revista
0
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Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
Autor: F. WU
Autor: J.S SPECK
Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
Autor: T. MATES
Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Autor: G. KOBLMÜLLER
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología