Artículos en revistas:
G. KOBLMÜLLER, F. WU, T. MATES, J.S. SPECK, S. FERNANDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA "High electron mobility GaN grown under N-rich conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy" Applied Physics Letters, 91, 221905-221907 (2007) ISSN: 0003-6951
G. KOBLMÜLLER, F. WU, T. MATES, J.S. SPECK, S. FERNANDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA "High electron mobility GaN grown under N-rich conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy" Applied Physics Letters, 91, 221905-221907 (2007) ISSN: 0003-6951
Año:2007
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| Relacionado con la línea de investigación de Nanoestrucutras de Nitruros | |
|
Internacional
|
Si |
|
JCR del ISI
|
Si |
|
Título de la revista
|
APPL PHYS LETT |
|
ISSN
|
0003-6951 |
|
Factor de impacto JCR
|
3,596 |
|
Información de impacto
|
|
|
Volumen
|
91 |
|
DOI
|
|
|
Número de revista
|
0 |
|
Desde la página
|
|
|
Hasta la página
|
|
|
Mes
|
SIN MES |
|
Ranking
|
|
Participantes
- Autor: F. WU
- Autor: J.S SPECK
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
- Autor: T. MATES
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: G. KOBLMÜLLER
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)