Memorias de investigación
Research Publications in journals:
G. KOBLMÜLLER, F. WU, T. MATES, J.S. SPECK, S. FERNANDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA "High electron mobility GaN grown under N-rich conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy" Applied Physics Letters, 91, 221905-221907 (2007) ISSN: 0003-6951
Year:2007
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con la línea de investigación de Nanoestrucutras de Nitruros
International
Si
JCR
Si
Title
APPL PHYS LETT
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,596
Impact info
Volume
91
Journal number
0
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Month
SIN MES
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Participants
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica