Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
2-6 GHz GaN MMIC Power Amplifiers for Electronic Warfare Applications
Año:2008
Áreas de investigación
  • Procesado y análisis de la señal
Datos
Descripción
This paper presents two MMIC broadband high power amplifiers of 4 mm of periphery at the output stage in the frequency band 2-6 GHz. The amplifiers are based on Al-GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) technology on SiC substrate. They have been fabricated in two different european fondries: SELEX Sistemi Integrati and QINETIQ. SELEX has a gate process technology of 0.5 um, and devices of 10x100um periphery in microstrip technology and QINETIQ has a gate-length of 0.25mu, and devices of 8x125um in coplanar technology. The coplanar amplifier from QINETIQ has demonstrated an output power of 8W in continuous wave at Vds=20V which confirm model predictions. On the other hand, SELEX microstrip amplifier has a saturation power of 10W CW at Vds=25V and 4 GHz. This amplifier measured on-wafer in pulsed conditions exhibits a maximum power of 17W at Vds=30V.
Internacional
Si
Nombre congreso
European Microwave Integrated Circuits Conference
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Amsterdam, Paises Bajos
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-2-87487-007-1
DOI
10.1109/EMICC.2008.4772234
Fecha inicio congreso
27/10/2008
Fecha fin congreso
31/10/2008
Desde la página
83
Hasta la página
86
Título de las actas
Proceedings of the 3rd European Microwave Integrated Circuits Conference
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Antonio Cetronio (SELEX-SI)
  • Autor: Mike Uren (QUINETIQ)
  • Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)
  • Autor: Pablo Cubilla (INDRA)
  • Autor: María Angeles González Garrido (UPM)
  • Autor: Claudio Lanzieri (SELEX-SI)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
  • Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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