Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Capabilities of GaN Schottky Multipliers for LO Power Generation at Millimeter-Wave Bands
Año:2008
Áreas de investigación
  • Procesado y análisis de la señal
Datos
Descripción
Gallium Nitride (GaN) is a very promising material for either electronic and optoelectronic devices because of its high breakdown field, and peak and saturated electron drift velocity. Hence, despite of its lower electron mobility, GaN Schottky diodes might represent a good alternative to GaAs Schottky diodes for LO power generation at millimetre-wave bands fue to a much better power handling capabilities. Results from numerical simulations for a 200 GHz doubler predict a 25% lower conversion efficiency for GaN Schottky multipliers when compared to GaAs Schottky multipliers. However, higher power handling capabilities, an order of magnitude higher than GaAs with same anode sizes, are predicted for GaN diodes.
Internacional
Si
Nombre congreso
19th International Symposium on Space Terahertz Technology (ISSTT 2008)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Groningen, The Netherlands
Revisores
Si
ISBN o ISSN
1652-0769
DOI
Fecha inicio congreso
28/04/2008
Fecha fin congreso
30/04/2008
Desde la página
504
Hasta la página
507
Título de las actas
Proceedings of 19th International Symposium on Space Terahertz Technology (ISSTT 2008)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)
  • Autor: José Vicente Siles Pérez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
  • Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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