Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Band bending at In-rich InGaN surfaces
Year:2008

Research Areas
  • Electronics engineering

Information
Abstract
Relacionado con las lineas de investigacion del Grupo
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISBN
0021-8979
Impact factor JCR
2,171
Impact info
Volume
104
Journal number
0
From page
113716
To page
113716-6
Month
ENERO
Ranking
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica