Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Temperature-dependent High-Frequency Performance of Deep Submicron Ion-Implanted AlGaN/GaN HEMTs
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con las Lineas de Investigacion del Grupo
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
ISSN
0370-1972
Factor de impacto JCR
1,071
Información de impacto
Volumen
5
DOI
Número de revista
0
Desde la página
2994
Hasta la página
2997
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: F. RECHT
  • Participante: Y. PEI
  • Participante: S.P. DENBAARS
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
  • Participante: K. MISHRA
  • Participante: N. FICHTENBAUM
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Participante: S. KELLER
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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