Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Resonant Raman-active localized vibrational modes in AlyGa{1-y}NxAs{1-x} alloys: Experiment and firstprinciples calculations
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICAL REVIEW B
ISSN
1098-0121
Factor de impacto JCR
3,172
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
77
Desde la página
155208
Hasta la página
155213
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: A.M TEWELDEBERHAN
  • Autor: S. LAZIC
  • Autor: S. FAHY
  • Autor: Javier Miguel Sanchez (UPM)
  • Autor: Miguel Montes Bajo (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: E. GALLARDO
  • Autor: G. STENUIT
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Autor: J.M CALLEJA
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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