Ponencias en congresos:
DC and RF Performance of AlGaN/GaN HEMTs on SiC at High Temperatures Int. Workshop on Nitrides Montreaux (Suiza), 2008.
DC and RF Performance of AlGaN/GaN HEMTs on SiC at High Temperatures Int. Workshop on Nitrides Montreaux (Suiza), 2008.
Año:2008
Áreas de investigación
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Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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Int. Workshop on Nitrides Montreaux (Suiza), 2008. |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Montreaux (Suiza), 2008 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000-0000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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06/10/2008 |
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Fecha fin congreso
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10/10/2008 |
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Título de las actas
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DC and RF Performance of AlGaN/GaN HEMTs on SiC at High Temperatures |
Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: M. UREN
- Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
- Autor: Eugenio Sillero Herrero (UPM)
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
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