Memorias de investigación
Communications at congresses:
A diagram to grow InAlN layers on (0001)GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy International workshop on nitrides Semiconductors 2008, 6-10 de Octubre 2008 Montreux, (Suiza), 2008
Year:2008

Research Areas
  • Electronics engineering

Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
International
Si
Congress
International workshop on nitrides Semiconductors 2008, 6-10 de Octubre 2008 Montreux, (Suiza), 2008
960
Place
Montreux, (Suiza), 2008
Reviewers
No
ISBN/ISSN
0000-0000
Start Date
06/10/2008
End Date
10/10/2008
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A diagram to grow InAlN layers on (0001)GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica