Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Enhancement of N incorporation into (Ga)InAsN quantum dots International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACIÓN DEL GRUPO
Internacional
Si
Nombre congreso
Enhancement of N incorporation into (Ga)InAsN quantum dots International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Friburgo (Alemania), 2008
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000-0000
DOI
Fecha inicio congreso
21/09/2008
Fecha fin congreso
24/09/2008
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Título de las actas
Enhancement of N incorporation into (Ga)InAsN quantum dots
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: M. HOPKINSON
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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