Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
A-plane GaN polarization-sensitive photodetectors International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2008 Montreux (Suiza), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
A-plane GaN polarization-sensitive photodetectors International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2008 Montreux (Suiza), 2008
Internacional
Si
Nombre congreso
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2008
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Montreux (Suiza), 2008
Revisores
No
ISBN o ISSN
0000-0000
DOI
Fecha inicio congreso
06/10/2008
Fecha fin congreso
10/10/2008
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Título de las actas
A-plane GaN polarization-sensitive photodetectors
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: B. IMER
  • Autor: J.S. SPECK
  • Autor: Álvaro Navarro Tobar (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: S.P. DENBAARS
  • Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
  • Autor: Carlos Rivera De Lucas (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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