Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Conferencias:
Growth and characterization of Nitrides-based (GaN, AlN, InN) nanostructures Mini-Symposium on Physics and Applications of InN and InGaN Semiconductor Materials The Rank Prize Funds Grasmere (Inglaterra), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
ISSN o ISBN
0000-0000
Entidad relacionada
The Rank Prize Funds Grasmere (Inglaterra), 2008
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar del congreso
The Rank Prize Funds Grasmere (Inglaterra), 2008
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: A. TRAMPERT
  • Autor: E. LUNA
  • Autor: M. NIEBELSCHUTZ
  • Autor: J.M CALLEJA
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
  • Autor: E. GALLARDO
  • Autor: O. AMBACHER
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: V. CIMALLA
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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