Conferencias:
Growth and characterization of Nitrides-based (GaN, AlN, InN) nanostructures
Mini-Symposium on Physics and Applications of InN and InGaN Semiconductor Materials
The Rank Prize Funds
Grasmere (Inglaterra), 2008
Año:2008
Áreas de investigación
Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEA DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
ISSN o ISBN
0000-0000
Entidad relacionada
The Rank Prize Funds
Grasmere (Inglaterra), 2008
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar del congreso
The Rank Prize Funds
Grasmere (Inglaterra), 2008
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
Autor: A. TRAMPERT
Autor: E. LUNA
Autor: M. NIEBELSCHUTZ
Autor: J.M CALLEJA
Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
Autor: E. GALLARDO
Autor: O. AMBACHER
Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Autor: V. CIMALLA
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología