Memorias de investigación
Communications at congresses:
Design of High-Brightness Tapered Lasers at 1060 nm Based on an Asymmetric Al-free Active Region Structure
Year:2008

Research Areas
  • Electronics engineering

Information
Abstract
Se simularon, diseñaron y fabricaron laseres tapered de alto brillo guiados por ganacia con emision en 1060 nm. Los diseños epitaxiales en que la zona activa se dispone asimetricamente en la guía de onda dieron lugar a laseres de mayor calidad de haz
International
Si
Congress
Photonics Global@Singapore, 2008. IPGC 2008. IEEE
960
Place
Singapur
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
CDP08UPM
10.1109/IPGC.2008.4781514
Start Date
08/12/2008
End Date
11/12/2008
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4
Proceedings IEEE Photonics Global 2008
Participants
  • Autor: Alfredo Martin Minguez UPM
  • Autor: M. Calligaro Alcatel-Thales III-V Lab
  • Autor: Michel Krakowski Alcatel-Thales III-V Lab
  • Autor: M. Lecomte Alcatel-Thales III-V Lab
  • Autor: Ignacio Esquivias Moscardo UPM
  • Autor: Helena Odriozola Franco UPM
  • Autor: Luis Borruel Fabrica Nacional de Moneda y Timbre
  • Autor: Nicolas Michel Alcatel-Thales III-V Lab
  • Autor: Jose Manuel Garcia Tijero UPM
  • Autor: O. Parillaud Alcatel-Thales III-V Lab

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Fotónica Aplicada
  • Departamento: Física e Instalaciones Aplicadas a la Edificación, al Medio Ambiente y al Urbanismo
  • Departamento: Tecnología Fotónica