Descripción
|
|
---|---|
En este artículo se describe el crecimiento directo de InP sobre un sustrato de GaAs (001) mediante epitaxia por haz molecular a baja temperatura con hidrógeno. Se describe el procedimiento epitaxial empleado y se muestran los resultados de la caracterización mediante las técnicas RHEED, HRXRD y PL. Se concluye que el empleo de hidrógeno favorece el crecimiento epitaxial del InP. | |
Internacional
|
No |
JCR del ISI
|
No |
Título de la revista
|
Journal of applied physics |
ISSN
|
0021-8979 |
Factor de impacto JCR
|
0 |
Información de impacto
|
|
Volumen
|
103 |
DOI
|
|
Número de revista
|
0 |
Desde la página
|
013508-1 |
Hasta la página
|
013508-3 |
Mes
|
ENERO |
Ranking
|