Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Growth of InP on GaAs (001) by hydrogen-assisted low temperature solid-source molecular beam epitaxy
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
En este artículo se describe el crecimiento directo de InP sobre un sustrato de GaAs (001) mediante epitaxia por haz molecular a baja temperatura con hidrógeno. Se describe el procedimiento epitaxial empleado y se muestran los resultados de la caracterización mediante las técnicas RHEED, HRXRD y PL. Se concluye que el empleo de hidrógeno favorece el crecimiento epitaxial del InP.
Internacional
No
JCR del ISI
No
Título de la revista
Journal of applied physics
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
103
DOI
Número de revista
0
Desde la página
013508-1
Hasta la página
013508-3
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: C. G. Fonstad
  • Participante: F. Suarez
  • Autor: Jesus Sangrador Garcia (UPM)
  • Participante: P.A. Postigo
  • Autor: Alfredo Sanz Hervas (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Tecnología Electrónica
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