|
Abstract
|
|
|---|---|
| En este artículo se describe el crecimiento directo de InP sobre un sustrato de GaAs (001) mediante epitaxia por haz molecular a baja temperatura con hidrógeno. Se describe el procedimiento epitaxial empleado y se muestran los resultados de la caracterización mediante las técnicas RHEED, HRXRD y PL. Se concluye que el empleo de hidrógeno favorece el crecimiento epitaxial del InP. | |
|
International
|
No |
|
JCR
|
No |
|
Title
|
Journal of applied physics |
|
ISBN
|
0021-8979 |
|
Impact factor JCR
|
0 |
|
Impact info
|
|
|
Volume
|
103 |
|
|
|
|
Journal number
|
0 |
|
From page
|
013508-1 |
|
To page
|
013508-3 |
|
Month
|
ENERO |
|
Ranking
|
|