Artículos en revistas:
A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy
A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Año:2008
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del grupo | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,596 |
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Información de impacto
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Volumen
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93 |
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DOI
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10.1063/1.3026541 |
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Número de revista
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19 |
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Desde la página
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191907 |
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Hasta la página
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191907-3 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: AUTOR PERTENECIENTE AL GRUPO DE INVESTIGACIÓN DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: SERGIO FERNÁNDEZ-GARRIDO
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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