Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
C. RIVERA, F.GONZÁLEZ-POSADA FLORES, E. MUÑOZ. "Strain-induced effects on the degradation of III-Nitride-based HEMTs". 33st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits 2009 Málaga (Spain), 2009.
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
Nombre congreso
33st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits 2009
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Málaga (Spain), 2009.
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
17/05/2009
Fecha fin congreso
20/05/2009
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Título de las actas
"Strain-induced effects on the degradation of III-Nitride-based HEMTs".
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Carlos Rivera De Lucas (UPM)
  • Autor: Fernando González-Posada Flores (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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