Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society Conference 2009 Strasburg (France), 2009
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
Nombre congreso
Spring European Materials Research Society Conference 2009
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Strasburg (France), 2009
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
08/06/2009
Fecha fin congreso
12/06/2009
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Título de las actas
"1.3- 1.5 ¿m GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties"
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Autor: Miguel Montes Bajo (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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