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Dª. Jacqueline L. Hall "Temperature Effects during the Growth of In-rich InGaN Films by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy" School of Physics & Astronomy, Univ. of Nottingham, Nottingham (United Kingdom) July 8th, 2009
Dª. Jacqueline L. Hall "Temperature Effects during the Growth of In-rich InGaN Films by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy" School of Physics & Astronomy, Univ. of Nottingham, Nottingham (United Kingdom) July 8th, 2009
Año:2009
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php | |
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Internacional
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No |
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Nombre congreso
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SEMINARIOS INTERNOS DEL ISOM |
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Entidad organizadora
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ISOM-UPM |
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Nacionalidad Entidad
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Sin nacionalidad |
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Lugar/Ciudad de impartición
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MADRID |
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Fecha inicio
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08/07/2009 |
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Fecha fin
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08/07/2009 |
Participantes
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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