Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "External efficiency and carrier loss mechanisms in InAs/GaInNAs quantum dot light emitting diodes". Journal of Applied Physics 108, 033104/1-033104/8, 2010.
Año:2010
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,072
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
108
Desde la página
033104/1
Hasta la página
033104/8
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Miguel Montes Bajo (UPM)
  • Autor: M. Al Khalfioui
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: M. Hugues
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: B. Damilano
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: J. Massies
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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