Artículos en revistas:
Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, D. HOSSEINI, S. ESTRADE, F. PEIRÓ, E. CALLEJA ''InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted molecular beam Epitaxy'' Journal of Applied Physics, 108, 113117 (2010).
Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, D. HOSSEINI, S. ESTRADE, F. PEIRÓ, E. CALLEJA ''InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted molecular beam Epitaxy'' Journal of Applied Physics, 108, 113117 (2010).
Año:2010
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
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ISSN
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0021-8979 |
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Factor de impacto JCR
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2,072 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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108 |
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Desde la página
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113117 |
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Hasta la página
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113120 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Participantes
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: D. HOSSEINI
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
- Autor: S STRADE
- Autor: F. PEIRÓ
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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