Memorias de investigación
Artículos en revistas:
M.F. ROMERO, M.M.SANZ, I. TANARRO, A JIMÉNEZ, E. MUÑOZ ''Plasma diagnostic and device properties of AlGaN/GaN HEMT passivated with SiN deposited by plasma enhanced chemical vapour deposition'' Journal. D: Appl. Phys. 43, 495202 (2010)
Año:2010

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,554
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
43
Desde la página
495202
Hasta la página
495207
Mes
ENERO
Ranking

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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Grupo de Investigación: Grupo de dispositivos magnéticos del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología