Ponencias en congresos:
A. BENGOECHEA, J. GRANDAL, S. FERNANDEZ-GARRIDO, M.A. SANCHEZ-GARCIA, F. BARBAGINI, P. LEFEBVRE, E. CALLEJA, E. LUNA, A. TRAMPERT. "Selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted MBE". 16th International MBE Conference Berlin (Germany) 2010
A. BENGOECHEA, J. GRANDAL, S. FERNANDEZ-GARRIDO, M.A. SANCHEZ-GARCIA, F. BARBAGINI, P. LEFEBVRE, E. CALLEJA, E. LUNA, A. TRAMPERT. "Selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted MBE". 16th International MBE Conference Berlin (Germany) 2010
Año:2010
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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16th International MBE Conference, Berlin Germany (2010) |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Berlin Germany) 2010 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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22/08/2010 |
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Fecha fin congreso
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27/08/2010 |
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Desde la página
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0 |
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Hasta la página
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Título de las actas
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"Selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted MBE" |
Participantes
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: E. LUNA
- Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
- Autor: A. TRAMPERT
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Francesca Barbagini . (UPM)
- Autor: Pierre Lefebvre . (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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