Ponencias en congresos:
A. BENGOECHEA, J. GRANDAL, S. FERNANDEZ-GARRIDO, M.A. SANCHEZ-GARCIA, F. BARBAGINI, P. LEFEBVRE, E. CALLEJA, E. LUNA, A. TRAMPERT. "Selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted MBE". 16th International MBE Conference Berlin (Germany) 2010
Año:2010
Áreas de investigación
Ingenierías,
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
16th International MBE Conference, Berlin Germany (2010)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Berlin Germany) 2010
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
22/08/2010
Fecha fin congreso
27/08/2010
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Título de las actas
"Selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted MBE"
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
Autor: E. LUNA
Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
Autor: A. TRAMPERT
Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
Autor: Francesca Barbagini . (UPM)
Autor: Pierre Lefebvre . (UPM)
Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Departamento: Ingeniería Electrónica
Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología