Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
P. LEFEBVRE, S. ALBERT, J. RISTIC, M.-A. SÁNCHEZ-GARCÍA, E. CALLEJA. "Carrier localization and surface effects in InGaN nanocolumns grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy" Int. Workshop on Nitride Semiconductors - IWN 2010 Tampa (USA), 2010
Año:2010
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
Int. Workshop on Nitride Semiconductors ¿ IWN 2010 Tampa (USA), 2010
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Tampa (USA), 2010
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
19/09/2010
Fecha fin congreso
24/09/2010
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Título de las actas
Carrier localization and surface effects in InGaN nanocolumns grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Pierre Lefebvre . (UPM)
  • Autor: S. ALBERT
  • Autor: J. RISTIC
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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