Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
M. J. TADJER, R. CUERDO, T. J. ANDERSON, K. D. HOBART, S. MARTÍN-HORCAJO, F. CALLE "Comparative study of threshold voltage stability in enhancement mode AlGaN/GaN HEMTs". Int. Workwhop on Nitrides Tampa (EEUU), 2010
Año:2010
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
Int. Workwhop on Nitrides.Tampa (EEUU), 2010
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Int. Workwhop on Nitrides.Tampa (EEUU), 2010
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
19/09/2010
Fecha fin congreso
24/09/2010
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Título de las actas
Comparative study of threshold voltage stability in enhancement mode AlGaN/GaN HEMTs
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
  • Autor: T. J. ANDERSON
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
  • Autor: D. HOBART
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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