Ponencias en congresos:
M. J. TADJER, R. CUERDO, T. J. ANDERSON, K. D. HOBART, S. MARTÍN-HORCAJO, F. CALLE "Comparative study of threshold voltage stability in enhancement mode AlGaN/GaN HEMTs". Int. Workwhop on Nitrides Tampa (EEUU), 2010
M. J. TADJER, R. CUERDO, T. J. ANDERSON, K. D. HOBART, S. MARTÍN-HORCAJO, F. CALLE "Comparative study of threshold voltage stability in enhancement mode AlGaN/GaN HEMTs". Int. Workwhop on Nitrides Tampa (EEUU), 2010
Año:2010
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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Int. Workwhop on Nitrides.Tampa (EEUU), 2010 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Int. Workwhop on Nitrides.Tampa (EEUU), 2010 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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19/09/2010 |
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Fecha fin congreso
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24/09/2010 |
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Desde la página
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0 |
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Hasta la página
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Título de las actas
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Comparative study of threshold voltage stability in enhancement mode AlGaN/GaN HEMTs |
Participantes
- Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
- Autor: T. J. ANDERSON
- Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
- Autor: D. HOBART
- Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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