Conferencias:
E. CALLEJA, A. BENGOECHEA-ENCABO, J. GRANDAL, S. FERNÁNDEZ, J. RISTIC, M.A. SANCHEZ-GARCÍA, F. BARBAGINI, P. LEFEBVRE, J.M. CALLEJA, E. GALLARDO, E.LUNA, A. TRAMPERT, U.JAHN. "Spontaneous and ordered growth of III-N nanocolumns by MBE: growth mechanisms and applications to Optoelectronic Devices". International Workshop on Nitride Semiconductors (IWNS 2010) Tampa, Florida (USA) 2010
Año:2010
Áreas de investigación
Ingenierías,
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
ISSN o ISBN
0000000000000
Entidad relacionada
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWNS 2010) Tampa, Florida (USA) 2010
Nacionalidad Entidad
ESPAÑA
Lugar del congreso
Tampa, Florida (USA) 2010
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
Autor: J.M CALLEJA
Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
Autor: E. GALLARDO
Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
Autor: E. LUNA
Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
Autor: U. JAHN
Autor: A. TRAMPERT
Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
Autor: Francesca Barbagini . (UPM)
Autor: Pierre Lefebvre . (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Departamento: Ingeniería Electrónica
Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología