Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Conferencias:
E. CALLEJA, A. BENGOECHEA-ENCABO, J. GRANDAL, S. FERNÁNDEZ, J. RISTIC, M.A. SANCHEZ-GARCÍA, F. BARBAGINI, P. LEFEBVRE, J.M. CALLEJA, E. GALLARDO, E.LUNA, A. TRAMPERT, U.JAHN. "Spontaneous and ordered growth of III-N nanocolumns by MBE: growth mechanisms and applications to Optoelectronic Devices". International Workshop on Nitride Semiconductors (IWNS 2010) Tampa, Florida (USA) 2010
Año:2010
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
ISSN o ISBN
0000000000000
Entidad relacionada
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWNS 2010) Tampa, Florida (USA) 2010
Nacionalidad Entidad
ESPAÑA
Lugar del congreso
Tampa, Florida (USA) 2010
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: J.M CALLEJA
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: E. GALLARDO
  • Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
  • Autor: E. LUNA
  • Autor: Sergio Fernández Garrido (UPM)
  • Autor: U. JAHN
  • Autor: A. TRAMPERT
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Francesca Barbagini . (UPM)
  • Autor: Pierre Lefebvre . (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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