Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Harmonic Generation and Noise in GaAs and GaN Schottky Diodes
Año:2010
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
A semiconductor simulation tool based on Monte Carlo techniques has been used to analyse the performance of frequency multipliers in the millimetre-wave frequency range. Both power generation and noise properties have been compared for GaAs and GaN-based doublers. GaN could be an interesting option for frequency multiplication: efficiencies around 15 % can be reached for state-of-the-art carrier mobilities and noise performance is better than in GaAs-based doublers.
Internacional
Si
Nombre congreso
21st International Symposium on Space Terahertz Technology
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Oxfordshire, UK
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
23/03/2010
Fecha fin congreso
25/03/2010
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1
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4
Título de las actas
ISSTT Proceedings 2010
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: Diego Pardo (Universidad Politécnica de Madrid)
  • Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)
  • Participante: Susana Pérez (Universidad de Salamanca)
  • Autor: Beatriz Mencía Oliva (UPM)
  • Participante: Javier Mateos (Universidad de Salamanca)
  • Participante: Tomás González (Universidad de Salamanca)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
  • Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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