Observatorio de I+D+i UPM

Descripción
The development of GaAs Schottky diodes using substrate transfer techniques is presented. It is argued that these devices are limited in power handling by the choice of substrate material. To mitigate against these thermal effects, the migration to CVD diamond substrates is a logical progression. A significant programme aimed at developing this technology is presented.
Internacional	Si
Nombre congreso	Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2010 European
Tipo de participación	960
Lugar del congreso	Paris, Francia
Revisores	Si
ISBN o ISSN	978-2-87487-017-0
DOI
Fecha inicio congreso	27/09/2010
Fecha fin congreso	28/09/2010
Desde la página	232
Hasta la página	233
Título de las actas	Proceedings of the EuMIC 2010

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

• Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)

• Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
• Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones