Artículos en revistas:
Understanding the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks
Understanding the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks
Año:2011
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
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ISSN
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0022-0248 |
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Factor de impacto JCR
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1,737 |
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Información de impacto
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Volumen
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325 |
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DOI
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10.1016/j.jcrysgro.2011.04.035 |
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Número de revista
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1 |
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Desde la página
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89 |
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Hasta la página
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92 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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11/25 CRYSTALLOGRAPHY (SCI) |
Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor:
a. bengoechea-encabo (UPM) - Autor: f. barbagini (UPM)
- Autor: s. fernandez-garrido (UPM)
- Autor: j. grandal (UPM)
- Autor: j. ristic
- Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: e. calleja (UPM)
- Autor: u. jahn
- Autor: e. luna
- Autor: a. trampert
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- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
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- Departamento: Ingeniería Electrónica
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