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Descripción
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| Trabajo relacionado con laslineas de investigación del ISOM-UPM | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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European workshop on Molecular Beam Epitaxy 2011 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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L? Alpe D?Huez, France |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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00-0000-000-0 |
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DOI
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00000 |
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Fecha inicio congreso
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20/03/2011 |
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Fecha fin congreso
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23/03/2011 |
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Título de las actas
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"Tuning the size, strain and band offsets of InAs/GaAs quantum dots through a thin GaAs(Sb)(N) capping layer" |