Ponencias en congresos:
2D channel modulation of AlInN/GaN HEMTs using a selective recess etch
2D channel modulation of AlInN/GaN HEMTs using a selective recess etch
Año:2011
Áreas de investigación
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Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
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Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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9th International conference on nitride semiconductors, ICNS |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Glasgow, Reino Unido |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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DOI
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Fecha inicio congreso
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10/07/2011 |
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Fecha fin congreso
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15/07/2011 |
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Desde la página
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Hasta la página
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Título de las actas
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Participantes
- Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
- Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
- Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
- Autor: Travis Anderson (Naval Research Lab, USA)
- Autor: Maria del Carmen Sabido Siller (UPM)
- Autor: H. Behmenburg (Naval Research Lab, USA)
- Autor: C. Giesen (Naval Research Lab, USA)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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