Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
2D channel modulation of AlInN/GaN HEMTs using a selective recess etch
Año:2011

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática

Datos
Descripción
Internacional
Si
Nombre congreso
9th International conference on nitride semiconductors, ICNS
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Glasgow, Reino Unido
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
10/07/2011
Fecha fin congreso
15/07/2011
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Título de las actas

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: Marko Jak Tadjer . UPM
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado UPM
  • Autor: Sara Martin Horcajo UPM
  • Autor: Travis Anderson Naval Research Lab, USA
  • Autor: Maria del Carmen Sabido Siller UPM
  • Autor: H. Behmenburg Naval Research Lab, USA
  • Autor: C. Giesen Naval Research Lab, USA
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica