Ficha
EXTENSION DE MEDIDA DE CÁTODO-LUMINISCENCIA (CL) AL RANGO INFRAROJO EN MICROSCOPIO DE BARRIDO ELECTRÓNICO (FESEM)
Dónde:
Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM)
Ubicación:
Laboratorio del ISOM en la ETSI Telecomunicacion de Madrid, Avda. Complutense , Ciudad Universitaria Madrid 28040
Tipología:
Equipamiento científico-Tecnológico
Responsable: Miguel Montes Bajo
Correo electrónico:
Detección en el rango infrarrojo (300nm a 1700nm) incluye un detector de tubo fotomultiplicador (IRPMT17) que requiere de refrigeración con nitrógeno líquido, Interruptor óptico para el montaje de un segundo detector, rejilla de 600l/mm, y dewar para nitrógeno líquido con 25 litros de capacidad, necesario para la correcta refrigeración del detector IRPMT17. Este detector será montado en el microscopio electrónico de barrido SEM FEI INSPECT F50 existente en el ISOM y es compatible con el sistema de cátodo-luminiscencia MONOCL4 de GATAN también instalado en la actualidad en dicho equipo FESEM. Dicho sistema de CL estará dedicado a la caracterización óptica de muestras obtenidas a través de crecimiento epitaxial de estructuras basadas en los Nitruros del grupo III (GaN, AlN e InN) así como de Arsenuros
Nanotecnología
La cátodo-luminiscencia (CL) es una potente herramienta de caracterización para realizar análisis espectroscópicos con alta resolución espectral y profundidad de campo que se basa en la potencia y flexibilidad de la sonda de electrones. El detector de IR solicitado permitirá analizar localmente la emisión infra rojo proveniente de muestras y dispositivos semiconductores de nitruros-III y aleaciones III/V, tanto en volumen, como nanométricos que se fabrican en el ISOM. Su potencial en conjunto con el equipo FESEM existente es que se puede visualizar espacialmente el origen de las emisiones con la resolución del microscopio que es 2 nm, permitiendo el estudio detallado de nanoestructuras emitiendo en infra rojo. Una aplicación de gran interés es la caracterización de Fuentes de Fotones Unicos (SPSs) fabricadas en el ISOM mediante MBE con estructuras nanocolumnares de ¿dot in a wire¿.
Fotodetección en IR: Integración multiespectral de QWIPs de AlGaAs/GaAs.
¿ Fotodetectores de QDs (Ga)InAs(N)/GaAs(Sb) y de QWs de InGaN/InN (1.5 ¿m).
¿ Fotodetectores de QDs y QWs con In(Ga)N.
¿ Desarrollo de Matrices de nanoLEDs con nitruros-III para iluminación blanca sin fósforo
¿ Células solares eficientes con heterouniones de InGaN/Si y de GaAsSbN/GaAs.
