Ficha
Reactive ion etching (RIE), (Alcatel nextral NE110)
Dónde:
Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones (CEMDATIC)
Ubicación:
ETSI de Telecomunicación, A301L / Cámara Limpia
Tipología:
Equipamiento científico-Tecnológico
Responsable: Ricardo Hervás García
Correo electrónico:
Sistema de ataque reactivo por iones basado en la química del flúor
Microtecnología, Nanotecnología, Microelectrónica, Fotónica
Alcatel Nextral NE110 es un sistema de ataque reactivo por iones generados por plasma de gases por flúor, Es un sistema pensado para el ataque por bombardeo iónico mediante el uso de gases para la definición de estructuras micro o nanométricas; Al ser un sistema de bombardeo seco o con alto contenido físico, es especialmente anisotrópico aunque carece de buena selectividad.
Dispone de las siguientes líneas de gases: SF6, CHF3, O2 y Ar.
Potencia hasta 400W, control de radiofrecuencia por acoplos inductivos y capacitivos autoregulables para conseguir mejor estabilidad en el plasma y menor acoplo.
Línea de venteo con N2.
Definición de motivos en películas delgada basadas en Si y en metales (no aluminio) para la micro fabricación de dispositivos FBAR, SAW, MEMS, así como transistores de efecto de campo FET o bien de metal óxido de efecto de campo MOSFET.
Tecnologías de semiconductores (nanotecnologías)
Tecnologías de sensores químicos y biológicos
Tecnologías de componentes para comunicaciones de RF (5G)
