Ficha
Reactor Epitaxial en Fase Vapor a partir de Precursores Metalorgánicos (en inglés, MOVPE)
Dónde:
Semiconductores III-V
Ubicación:
Planta baja Instituto de Energía Solar
Tipología:
Infraestructura Científica
Responsable: Prof. Carlos Algora
Correo electrónico:
El reactor MOVPE es el modelo AIX/200-4 de la marca AIXTRON. Tiene unas dimensiones de 6 m (largo) x 1,4 m (ancho) x 2,4 m (alto) y un peso aproximado de 3200 kg
- Energía Solar Fotovoltaica (células solares)
- Optoelectrónica (láseres, LEDS, fotodiodos, etc.)
Permite crecer decenas de capas de todo tipo de semiconductores III-V, tales como GaAs, InP, GaP, InGaAs, AlGaAs, GaInP, AlInP incluyendo nitruros diluidos de estas familias, entre otros, con variación de espesores desde nanómetros a varias micras y rango de dopados muy amplios. Estas capas pueden crecerse sobre sustratos semiconductores como GaAs, Si, Ge, InP, etc con tamaños de 2 ,3 y 4 pulgadas. Sobre la estructura semiconductora crecida se fabrican, posteriormente dispositivos
Actualmente se usa para crecer estructuras semiconductoras con las que fabricar células solares para aplicaciones terrestres y espaciales (incluyendo células flexibles), convertidores de luz láser y dispositivos termofotovoltaicos
Puede utilizarse para crecer estructuras semiconductoras que den lugar a dispositivos con aplicaciones disruptivas en optoelectrónica. También permite crecer capas semiconductores sobre sustratos que incorporen grafeno.
Se trata del único reactor de MOVPE comercial y con capacidad de producción (hasta 3 obleas de 2 pulgadas o 1 oblea de 3 ó 4 pulgadas) que existe en España. El reactor de MOVPE se ha renovado por completo en el año 2021 gracias a la ayuda de Equipamiento Científico EQC2019-005701-P de la Agencia Estatal de Investigación, Fondos Feder y el Programa Propio de la Universidad Politécnica de Madrid para la Cofinanciación de Infraestructuras de I+d+i
