Descripción de la patente
Se describe un reactor epitaxial de alto rendimiento que produce obleas a gran escala para industria fotovoltaica. Su principal innovación es la elevada densidad de apilamiento de susceptores, separados unos 4 cms. Éstos se colocan verticales, paralelos entre sí, interconectados, y se calientan por efecto Joule. La corriente llega por pasamuros especialmente diseñados, que conectan el exterior (temperatura ambiente), con los susceptores (1000 ºC). Un gas fluye entre susceptores. Unos sustratos se colocan sobre éstos. Debajo de ellos se encuentra una antecámara, para distribuir el gas entrante de forma homogénea y eliminar turbulencias. Todo está dentro de una cámara de acero inoxidable, recubierta internamente de material reflectante, y enfriada externamente por agua. Susceptores y antecámara están fijos a un panel posterior de conexiones, que también contiene pasamuros eléctricos, pasamuros de termopares, y entrada y salida de gases. Los gases de salida se recirculan parcialmente, ahorrando gas y aumentando la eficiencia.
Situación
Concedida
Número de solicitud
P200501461
Número de publicación
ES2268974
Fecha de presentación
16/06/2005
Fecha de concesión
08/11/2007
Extensiones Internacionales
EUROPA
Referencia de la solicitud: EP06794026.2
Título: Epitaxial reactor for massproduction of wafers
Situacion: Concedida
PAÍSES
País: Alemania
Número de solicitud: 06794026.2
Titulo: Epitaxial reactor for massproduction of wafers
Situación: Concedida
País: Francia
Número de solicitud: 06794026.2
Titulo: Epitaxial reactor for massproduction of wafers
Situación: Concedida
País: EEUU
Número de solicitud: US 11/921,959
Titulo: Epitaxial reactor for massproduction of wafers
Situación: Concedida
País: Holanda
Número de solicitud: 2045373
Titulo: Epitaxial reactor for massproduction of wafers
Situación: Concedida
País: Reino Unido
Número de solicitud: 06794026.2
Titulo: Epitaxial reactor for massproduction of wafers
Situación: Concedida
